中國的國家推薦性標(biāo)準(zhǔn)GB/T24825-2009"LED模塊用直流或交流電子控制裝置性能要求"中規(guī)定:達(dá)到能效1級的隔離輸出式LED模塊控制裝置,電源效率應(yīng)不小于88%(P>25 W );電源產(chǎn)品電磁干擾(EMI)性能應(yīng)符合國家強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)GB17625.1-2003/IEC61000-3-2:2001"電磁兼容限值諧波電流發(fā)射限值"和GB17743-2007"電氣照明和類似設(shè)備的無線電騷擾特性的限值和測量方法"的相關(guān)要求。美國能源之星照明燈具規(guī)范(ENERGY STAR? Program RequirementsProduct Specification for Luminaires)中規(guī)定:商用照明燈具功率因數(shù)必須大于0.9.
LED凈化燈光源與其它光源的主要區(qū)別在于LED凈化燈光源需要一個驅(qū)動電源,驅(qū)動電源的性能直接關(guān)系到LED光源的性能。在全球提倡"節(jié)能減排"和"綠色電子"的大背景下,如何設(shè)計一種高功率因數(shù)、低諧波電流的高效LED驅(qū)動電源是當(dāng)今廣泛關(guān)注的熱點(diǎn)問題。本文提出一種采用功率因數(shù)校正(PFC)電路,臨界模式(boundary mode)的AC/DC單級反激式的電源供應(yīng)器拓?fù)?,通過正確設(shè)定相關(guān)參數(shù),可在兼顧電源品質(zhì)與成本的情況下,有效提高能效、避免建筑物內(nèi)高次諧波電流造成的電源環(huán)境污染。
1 單級AC/DC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及原理
AC/DC反激式變換器,是采用臨界電流模式控制的Flyback變換電路,系統(tǒng)原理框圖如圖1.工作原理:開關(guān)管MOS驅(qū)動著反激式儲能隔離變壓器T,MOS導(dǎo)通時變壓器T儲能,關(guān)斷時變壓器T次級繞組通過續(xù)流二極管釋放能量??刂芃OS的導(dǎo)通、關(guān)斷時間規(guī)律,可實(shí)現(xiàn)輸入電流波形和輸出直流電壓或電流的穩(wěn)定控制,以保障輸入電流的正弦規(guī)律化和輸出直流特性的穩(wěn)定性。
圖1 AC/DC反激式變換器原理圖
電路拓?fù)淙鐖D2所示。
圖2 電路拓?fù)鋱D
圖2中:Lm為變壓器初級勵磁電感,Lr為漏電感,初級電感LP=Lm+Lr,次級電感為LS。
1.1 SPWM 調(diào)制原理
如圖2所示,市電經(jīng)全波整流,按市電半個周期波形圖分析,則正弦調(diào)制原理分析如圖3:IQ為MOS管在某一時刻的導(dǎo)通電流,IQ(sin)_PK是MOS的峰值電流,ID為次級二極管在MOS管關(guān)閉時刻的續(xù)流,ID(sin)_PK是二極管的峰值電流。
圖3 SPWM 調(diào)制圖
在調(diào)制波形示意圖里,采用電感電流回零后允許導(dǎo)通下一個驅(qū)動脈沖工作方式,以保障每個開關(guān)周期里T =TON+TOFF 。
如調(diào)制圖3,設(shè)市電輸入正弦波電壓:
Uin(t)=Uin_pksinωt
把市電輸入電壓離散化,則設(shè)第N 個點(diǎn)時,圖中△ABE所示,MOS導(dǎo)通,電壓與電感勵磁電流的關(guān)系如下:
若N 足夠大時,則電流、電壓等效為連續(xù):
由上式可知:
假設(shè)導(dǎo)通時間為常數(shù):TON_N = 常數(shù)(const),則上述MOS導(dǎo)通電流各點(diǎn)峰值IQ(sin)_pk組成的包絡(luò)就形成了正弦規(guī)律。
次級二極管瞬時峰值電流為ID(t),根據(jù)勵磁電流引起的磁通不能突變原則可知:ID(t)=n IQ(t)=nIQ(sin)_pksinωt,且等式LP =n2 LS成立,其中參數(shù)n為變壓器的初、次級匝數(shù)比。
根據(jù)變壓器伏秒平衡原則,在繞組次級伏秒規(guī)則如下:
式中,Uo是輸出直流電壓,UF是整流二極管正向?qū)▔航怠?/span>
且根據(jù):T =TON+TOFF
設(shè)在第N 點(diǎn)對IQ(sin)_pk_N積分可得到其平均值,在圖3中三角形△CED中:
則市電輸入電流:
由上幾個等式可得到:
設(shè):UR =n (Uo+UF)并定義:UR為反射電壓。
又設(shè)定電壓反射比為:
則可得輸入電流的表達(dá)式:
由輸入電流表達(dá)式可見:在開關(guān)管按恒定導(dǎo)通時,輸入電流也不是純凈正弦波,失真度THDI與Rvr密切相關(guān),即THDI取決于輸出直流電壓和初次極匝數(shù)比n(這里n=N1/N2 )等。
根據(jù)上述表達(dá)式把輸入電流正弦波特性與Rvr關(guān)系式仿真繪圖,如圖4所示。由仿真輸出圖可知:Rvr數(shù)值越小時,輸入電流就越正弦,失真度就越??;反之則正弦特性越差。
圖4 正弦電流仿真圖
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